<b>inf</b> 前世，euv光刻机的联合研发成功几乎逼近当时人类物理学、材料学以及精密制造的极限，除了光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高，别说a或nin，就算是科技实力世界第一的美国，以一国之力，完全自主制造一台euv光刻机，比登天还难。

euv光刻机被称为人类工业皇冠上的明珠！

汤普森院士团队虽然没有研制成功euv，但研究成果对ga的光源和光学精密设备的不断改进贡献极大。

由于孙健重生，濒临破产倒闭的ga浴火重生，重回全球光刻机的龙头企业之一，成为euv联盟的重要成员，汤普森院士团队专门研究euv光源7年，取得了不少重要技术成果，euv联盟研制成功euv光刻机，肯定不需要15年。

ga将成为全球唯一生产euv光刻机的厂家，ati将成为最大的受益者，虽然孙健也乐见其成，但以美国人的性格，极有可能让ati交出ga的控股权，严禁出口euv到中国，这不是重生者愿意看到的结果。

前世被美国技术封锁，举国之力，孙健穿越前没有看到国产euv光刻机的影子。

经过一年多的努力，be已经研究成功8英寸晶圆、250n制程工艺的光刻机，正在抓紧时间研制180n制程工艺的光刻机。

制程工艺不断突破对be来说都是突飞猛进的进步，但同nin和ga相比，还有2代技术差距，没有大肆宣传，避免被仇视中国的美国国会议员盯上。

不到10年时间，从4代技术差距缩短到2代，be的管理层和技术人员都尽力了。

孙健知道，要是没有65n制程工艺这道难关挡在光刻机业界的前面，有他出钱出力，be在15年内也很难赶上光刻机技术实力雄厚的ga和nin。

连李昌杰都不知道，be研究院院长邓国辉院士和所长钱富强研究员率领光源研究所的140多名研发人员，经过2年半的潜心研究，有孙健不断「点拨」，终于在去年7月研制成功浸没式光刻系统技术，arf激光器发射的193n光源通过纯净水的折射，得到了波长134n的光源，解决了业界遇到的193n波长的世界级难题，还没有申请公司发明专利，秘而不宣。

只能委屈钱富强和140多名研发人员了。

研究员钱富强凭借主持研发成功浸没式光刻系统技术，攻克这项光刻机光源上的世界级难题，凭借这一世界级的重大科研成果，就能申请工程院院士。

邓国辉和钱富强从去年8月开始立项，be投资1亿元，带领光源研究所，静下心来开始研发euv。

作为上市公司，be发布公告，投资1亿元继续研究193n波长的世界级难题。

即使能得到蔡司公司最先进的透镜和反射镜系统，有资金支持，孙健也怀疑be研究院在20年内能否研制成功euv光刻机？

停止研究也不可能买到euv光刻机，20年不行，30年！

「李总，布罗迪先生，余总已经拿到美国商务部的同意文件，我们明天前往美国，180n制程工艺的半导体生产线的基建要加快进度，增加人手，保证11月底完工。」

孙健今天参观的这条be研发和生产的500n制程工艺半导体生产线的建设工程已经到了设备安装阶段，按照规划，7月下旬将进行试生产。