1985年9月，美利坚、日本、联邦德国、法国以及英国的财政部部长和中央银行行长举行会议，达成五国政府联合干预外汇市场、解决美利坚巨额贸易赤字问题的协议。由于这一会议召开的地点在纽约广场饭店，因此被称作广场协议。

该协议签署后，日元开始升值。美利坚商务部也启动了301反倾销调查，在次年签署美日半导体协议，迫使日本打开芯片市场。虽然此时日本厂商仍占据技术优势，但是其低价策略已经失去了效果。

三星、现代、lg和大宇四家南朝鲜厂商依靠财阀的充沛财力，在80年代投资超过20亿美元（折合今天上百亿美元），开始在技术上追赶日本公司。

进入90年代后，荷兰光刻机供应商asl的光刻机技术开始超过日本佳能和尼康。美光、三星相继更换asl光刻机，现代电子也紧随其后采用了asl的光刻机。

由于日本dra厂商坚持使用佳能和尼康光刻机，韩日双方在工艺、成本上逐渐拉开了差距。1997年，亚洲金融危机爆发，由于南朝鲜企业负债率过高、外汇储备不足、欧美债务收紧，韩元在年底数周内暴跌60%，却极大地增强了南朝鲜企业的出口竞争力。

1998年，南朝鲜dra企业的市场份额首次超过日本。

除了依靠各大财团的雄厚实力外，南朝鲜政府在半导体产业规划方面同样发挥了巨大的作用，从1975年开始，颁布了多项政策扶持南朝鲜半导体产业发展。

为了促进南朝鲜半导体产业的竞争力，政府在1999年将现代电子与lg半导体合并，现代电子拥有多数股份。

在这次整合中，本来现代电子最初拒绝为lg半导体的债务买账，但是当时要求两家公司合并的庞大压力来自于南朝鲜政府，最终现代电子不得不做出妥协，合并后现代电子负债近140亿美元，债务股本比高达160%，这为公司带来了庞大的经济负担。

2001年，因为现代电子从现代集团中拆分，公司改名为海力士。同年美光完成收购德州仪器的内存部门，随着1999年到2001年内存行业整合结束，三星、美光、海力士、英飞凌四家掌握有全球近八成的dra市场份额。

此时dra市场竞争已经趋于白热化，产品价格接近生产成本，之后互联网泡沫破裂，dra价格崩盘。

根据id数据，在2001年dra容量需求上升56%的情况下，dra价格降低了46%，2001年dra市场预期只有238亿美元，相较2000年缩水18%。

在这样的市场行情下，海力士亏损25亿美元，无力归还贷款，资产负债率高达206%。

考虑到半导体行业巨大的远期资本支出需求，南朝鲜政府和以南朝鲜外换银行为首的债权人开始推动出售海力士。

然而，三星和lg都拒绝接手这个负债累累的烂摊子，只有美光想要趁机大赚一笔。

2001年底，时任海力士总裁的park hng-sup与美光达成协议，美光将以价值30亿美元的股票收购海力士的整个内存芯片业务与25%的其他业务，而且还不会接受海力士的60亿美元债务。

尽管当时海力士已经走投无路，但这一计划依旧遭到了海力士董事会的一致反对。

最后美光收购海力士失败，各大dra厂商开始期待海力士倒闭空出的市场。